Silny efekt termoelektryczny na styku dwóch ciekłych metali
10 lipca 2024, 12:19Naukowcy z Ecole Normale Supérieure przeprowadzili eksperyment, w którym zaprezentowali silny efekt termoelektryczny na styku dwóch ciekłych metali. Wykorzystaliśmy warstwy rtęci i galu w cylindrycznym naczyniu w temperaturze pokojowej i dokonaliśmy bezpośrednich pomiarów prądu elektrycznego wygenerowanego wskutek istnienia gradientu temperatur, czytamy na łamach PNAS.
Groźne dziury w oprogramowaniu przemysłowym
14 marca 2014, 13:37Eksperci z firmy Rapid 7 alarmują, że znaleźli trzy krytyczne dziury w programach kontroli przemysłowej, z których na całym świecie korzysta ponad 7600 elektrowni, fabryk chemicznych i petrochemicznych. Dziury znaleziono m.in. w popularnym Centum CS 3000 R3 firmy Yokogawa Electric Corporation
Freescale stawia na MRAM
9 czerwca 2008, 13:49Firma Freescale, duży producent półprzewodników, bardzo wierzy w rozwój pamięci magnetorezystywnych (MRAM). Jej wiara jest na tyle silna, że przedsiębiorstwo ogłosiło, iż powoła do życia osobną firmę zajmującą się tylko i wyłącznie badaniem nad MRAM-em.
Superwydajny SSD
13 sierpnia 2014, 11:30Podczas Flash Memory Summit 2014 należąca do Western Digital firma HGST zaprezentowała najbardziej wydajny dysk SSD. Urządzenie podłączone do interfejsu PCIe wykonuje 3 miliony operacji wejścia-wyjścia na sekundę (IOPS). Pracuje zatem wielokrotnie szybciej niż SSD dostępne na rynku
Poważne dziury w Windows 7 i Mac OS X
9 czerwca 2010, 14:56W przyszłym miesiącu, podczas konferencji Hack in the Box dwóch badaczy, Christophe Devine i Damien Aumaitre, chce ujawnić poważny błąd projektowy w Windows 7 i Mac OS X. Specjaliści znaleźli go w mechanizmie Direct Memory Access. Pozwala on na ominięcie wszystkich zabezpieczeń systemu.
Dziesiątki miliardów USD w rozwój przemysłu półprzewodnikowego
5 marca 2018, 11:09Chiński rząd chce powołać nowy fundusz, którego zadaniem będzie finansowanie rozwoju krajowego przemysłu półprzewodnikowego. China Integrated Circuit Investment Fund Co. (CICIF) dostanie do dyspozycji 200 miliardów juanów, czyli 31,5 miliarda USD
Oficjalny debiut Santa Rosy
10 maja 2007, 09:29Oficjalnie zadebiutowała Santa Rosa – czwarte już wcielenie intelowskiej platformy Centrino dla komputerów przenośnych. Pierwsza wersja Centrino trafiła na rynek przed 4 laty.
Elpida chce zbankrutować
27 lutego 2012, 12:08Elpida Memory, trzeci co do wielkości producent układów DRAM, złożył w tokijskim sądzie wniosek o upadłość. Zadłużenie firmy sięgnęło 5,5 miliarda dolarów.
Zdigitalizowane zdjęcia 2 przyjaciółek dają wgląd w przebieg wykopalisk w Sutton Hoo
30 września 2021, 11:26National Trust poinformował o ukończeniu digitalizacji pełnej kolekcji zdjęć przyjaciółek, Mercie Lack i Barbary Wagstaff, dokumentujących wykopaliska w Sutton Hoo. W przededniu II wojny światowej odkryto tam anglosaski grób królewski.
Powstała pamięć RRAM?
10 lutego 2009, 11:55Mało znana australijska firma 4DS Inc. twierdzi, że wyprzedziła światowych gigantów i dokonała znaczącego przełomu na drodze do wyprodukowania pamięci rezystywnych (RRAM - resistive random access memory). Teraz przedsiębiorstwo szuka partnerów, którzy rozpoczną wraz z nim produkcję nowego typu pamięci uniwersalnej, czyli łączącej w sobie zalety pamięci flash (gęstość i przechowywanie danych bez konieczności odświeżania) i DRAM (szybkość pracy).
